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还在寻找能让您的移动设备既快又省电的核心内存方案吗？MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的16Gb LPDDR4移动DRAM，以高达1866MHz的时钟频率，为您带来疾速的数据传输体验，让应用程序加载、多任务处理和大文件读写都变得无比流畅。

它采用先进的低功耗设计，工作电压仅1.1V，能显著降低系统能耗，有效延长智能手机、平板电脑、超薄笔记本等设备的电池续航时间。同时，其紧凑的200-WFBGA表面贴装封装，让您能够轻松实现更轻薄、更时尚的产品设计。选择它，就是为您的产品选择了高性能、低功耗与高集成度的完美结合。

• 型号:MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。