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还在为寻找一颗能扛起数据重担、稳定可靠的DDR2内存芯片而费神吗？让MT47H128M8JN-3:H来为您分忧！这颗来自美光科技的1Gb并行DRAM芯片，是您提升系统响应速度、确保数据流畅处理的得力助手。

它拥有128M x 8的经典组织架构，运行时钟高达333MHz，访问时间低至450ps，能轻松应对工业控制、网络通信等场景下的实时数据读写需求。1.8V左右的工作电压有助于控制整体功耗，而紧凑的60-TFBGA表面贴装封装，则让您的PCB布局更加灵活高效。

选择它，意味着您选择了一个经过长期市场验证的成熟方案。它能无缝接入您的既有设计，大幅节省二次开发和验证的时间，让您的产品维护与升级工作变得简单而可靠。

• 型号:MT47H128M8JN-3:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H128M8JN-3:H，Micron（美光）产品一站式供应商。