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还在为设备的数据处理瓶颈而烦恼吗？让MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR为您注入强大动能！这颗来自美光科技的2Gb移动LPDDR DRAM，以其208MHz的高时钟频率和并联接口，为您的高速应用提供澎湃的数据带宽，轻松应对多媒体处理、实时计算等苛刻任务。

它更懂得如何精打细算：1.7V~1.95V的低电压供电，显著降低系统功耗，延长电池续航；5ns的快速访问时间确保响应迅捷如电。其90-VFBGA超薄封装，让您在设计紧凑型设备时游刃有余。选择它，就是选择了一条通往高性能、低功耗与高集成度的轻松之路。

• 型号:MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:64M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:208 MHz
• 写周期时间 - 字，页:14.4ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。