我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时满足大容量、高可靠性与出色能效的存储芯片吗？MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR正是您的理想之选。这颗由美光科技出品的512Gb并行NAND闪存，采用先进的TLC技术，为您提供高达64GB的海量存储空间，让您轻松容纳海量应用程序、媒体文件或系统数据，彻底摆脱存储焦虑。

它凭借其并联接口和宽电压（2.7V-3.6V）支持，为您带来高效稳定的数据读写体验，显著提升系统整体响应速度。无论是用于消费电子、网络通信还是工业自动化设备，其0°C至70°C的工业级工作温度范围和可靠的表面贴装封装（132-VBGA），都能确保您的产品在各种环境下持久稳定运行，让您专注于核心功能开发，而无须担忧存储后顾之忧。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。