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还在为设备的多任务处理能力和响应速度寻找突破点吗？MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR就是您期待的答案。这颗美光LPDDR4移动内存芯片，集12Gb大容量与1600MHz高频率于一身，能瞬间提升您设备的数据吞吐带宽，让应用切换如行云流水，大型文件加载几乎无需等待，彻底释放处理器潜能。

它专为追求高性能与长续航的移动设备而生。1.1V的低压设计，让您在享受高速数据访问的同时，显著降低系统功耗，轻松延长电池使用时间。其表面贴装的200-WFBGA超薄封装，更为您的产品内部结构设计提供了极大的灵活性，助力实现更轻薄、更时尚的终端外观。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而高效的‘数据心脏’。

• 型号:MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。