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它能让您的移动设备在运行大型应用或多任务切换时告别卡顿，为用户带来行云流水般的操作体验。1.1V的低工作电压设计，意味着在提供强劲性能的同时，能显著优化系统整体功耗，直接助力延长电池续航，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。其坚固的200球WFBGA封装和宽温工作特性，确保了在各种复杂环境下的长期稳定运行，是您打造高品质、高可靠性终端产品的得力伙伴。

• 型号:MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。