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当您的设计需要一颗在严苛环境中依然能高速、稳定运行的内存芯片时，MT47H64M8JN-25E IT:G正是您值得信赖的伙伴。它基于成熟的DDR2技术，为您提供512Mb的并行存储空间，时钟频率高达400MHz，访问时间仅400ps，让您的系统数据吞吐流畅无阻。

这颗芯片能让您轻松应对宽温（-40°C ~ 95°C）和低压（1.7V~1.9V）的挑战，显著提升系统在工业、汽车等复杂场景下的适应性与能效。其60-TFBGA的紧凑封装，更便于您在空间受限的板卡上进行高效的表面贴装设计，是构建可靠嵌入式系统的理想存储基石。

• 型号:MT47H64M8JN-25E IT:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8JN-25E IT:G，Micron（美光）产品一站式供应商。