我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H32M9BM-33:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在为需要高速数据缓冲和处理的嵌入式系统寻找核心存储器吗？MT49H32M9BM-33:B TR就是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的288Mb并行DRAM，能以高达300MHz的速度运行，并实现仅20ns的快速数据访问，让您的系统处理海量信息时行云流水，毫无迟滞。

它采用高效的1.8V左右电压供电，在提供强劲性能的同时，显著优化了能耗，让您的设备运行更持久、更稳定。其紧凑的144-TFBGA封装非常适合空间受限的高密度设计，帮助您轻松实现产品的小型化与高性能化。无论是工业控制、通信设备还是其他需要可靠、高速存储的应用，它都能成为您系统中高效、稳健的数据枢纽。

• 型号:MT49H32M9BM-33:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:32M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M9BM-33:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。