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您正在寻找一颗能扛得住极端温度、经得起时间考验的核心存储芯片吗？MT29F4G08ABADAH4-ITE:D正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，专为 demanding 的应用环境而生，让您的设备在-40°C到85°C的广阔温度范围内都能保持高效、稳定的数据读写性能。

它采用成熟的并联接口和512M x 8的架构，为您提供高速的数据通道，轻松应对工业控制、车载系统、网络设备等场景下的数据存储需求。宽电压（2.7V~3.6V）支持和63-VFBGA紧凑封装，进一步简化了您的电路设计，提升了系统整体可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的稳定与安心。

• 型号:MT29F4G08ABADAH4-ITE:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABADAH4-ITE:D，Micron（美光）产品一站式供应商。