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还在为嵌入式系统的数据瓶颈寻找突破方案吗？MT46V16M8TG-75:D就是您的高效答案。这颗128Mb（16M x 8）的DDR SDRAM芯片，能以高达133MHz的速度运行，配合仅750ps的极速访问时间，让您的设备实现快速的数据读写与处理，轻松应对实时性要求高的任务。

它采用2.3V~2.7V低电压供电和并联接口，在显著降低系统功耗的同时，确保数据吞吐的稳定高效。无论是用于提升网络设备的缓冲性能，还是增强工业控制器的实时响应能力，它都能让您的设计如虎添翼。其可靠的66-TSSOP封装形式，更让您的生产组装过程顺畅无忧。

• 型号:MT46V16M8TG-75:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V16M8TG-75:D，Micron（美光）产品一站式供应商。