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还在为系统卡顿、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT41J256M8DA-125:K为您带来颠覆性的流畅体验。这颗美光科技的2Gb DDR3 SDRAM芯片，凭借800MHz的高时钟频率和仅13.75ns的访问时间，能极大地加速您的数据读写进程，让应用程序运行如飞，轻松应对多任务和高强度计算挑战。

它采用256M x 8的并联接口和1.5V标准电压，为您的高性能计算、网络设备、工业控制等应用提供稳定高效的内存解决方案。其工业级宽温（0°C至95°C）特性和紧凑的78-TFBGA封装，更确保了在各种复杂环境下的可靠性与设计灵活性，是您打造下一代竞争力产品的理想内存伙伴。

• 型号:MT41J256M8DA-125:K
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41J256M8DA-125:K，Micron（美光）产品一站式供应商。