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还在为设备的多任务处理卡顿而烦恼吗？MT53E256M32D2DS-053 AIT:B TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的8Gb LPDDR4移动内存，以高达1.866GHz的运行速度，为您带来疾风骤雨般的数据吞吐能力，轻松应对4K视频编辑、大型游戏加载和复杂AI运算的严苛需求。

它采用先进的低功耗设计，双电压（0.6V/1.1V）供电让您的设备在性能全开时也能保持出色的能效比，显著提升续航。其宽温工作范围（-40°C ~ 95°C）和可靠的200球WFBGA封装，确保了从消费电子到工业车载等各种应用场景下的稳定性和耐用性。选择它，就是选择高效、流畅且可靠的核心内存解决方案。

• 型号:MT53E256M32D2DS-053 AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M32D2DS-053 AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。