我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H256M4HQ-3:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT47H256M4HQ-3:E TR为您带来流畅体验！这颗美光出品的1Gb DDR2并行DRAM，能以高达333MHz的速度高效处理数据，450ps的极快访问时间确保您的指令得到即时响应，彻底告别等待。

它采用1.8V左右低电压运行，帮助您轻松优化系统能效。无论是工业控制器的实时运算，还是网络设备的流量缓冲，其稳定的性能和宽温工作特性（0°C至85°C）都能让您的设备在各种环境下持续可靠运行。选择它，就是为您的核心系统注入一颗强劲而稳定的“记忆心脏”。

• 型号:MT47H256M4HQ-3:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x11.5）
• MT47H256M4HQ-3:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。