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您是否正在寻找一颗能同时满足高性能、高可靠性与高能效的存储核心？MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR正是您的理想之选。这颗美光出品的24Gb移动LPDDR4 DRAM，能以2.133GHz的高速时钟频率，为您的车载计算平台、高级工业设备或需要严苛环境适应性的应用，提供澎湃的数据吞吐能力。

它能让您的系统轻松处理海量实时数据，无论是多路传感器融合还是复杂算法运算，都能确保流畅无阻。其符合汽车级AEC-Q100标准，并支持-40°C至95°C的宽温工作范围，让您在设计产品时拥有极高的可靠性信心。选择它，就是为您的创新装备一颗强大而稳健的“数据心脏”。

• 型号:MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:24Gb
• 存储器组织:768M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。