我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H128M4B6-25:D TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统的数据吞吐速度而烦恼吗？让MT47H128M4B6-25:D TR为您注入强劲动力！这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，凭借400MHz的高时钟频率和并联接口，能轻松实现高速数据读写，显著提升您的系统响应速度和处理效率。

它采用1.7V~1.9V低电压设计，帮助您有效降低整体功耗，同时其宽温（0°C ~ 85°C）特性和稳定的60-FBGA封装，确保在各种严苛环境下都能可靠工作。无论是用于数据缓冲、程序运行还是图形处理，它都能成为您设备中高效、稳定的存储核心，让您的产品性能表现更加卓越。

• 型号:MT47H128M4B6-25:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H128M4B6-25:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。