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M28W640HCB70N6E 零件图片(仅供参考)

M28W640HCB70N6E
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M28W640HCB70N6E 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一颗响应迅捷、坚如磐石的“记忆核心”吗?M28W640HCB70N6E正是您期待的解决方案。这颗64Mb并行NOR闪存芯片,能以高达70ns的访问速度为您快速提供程序代码或关键数据,让您的系统启动更快、运行更流畅。

它具备宽电压(2.7V-3.6V)与宽温(-40°C至85°C)工作能力,轻松适应工业、汽车、通信等复杂环境。其非易失特性确保断电后数据安全无虞,表面贴装设计则让您的板级集成更加高效紧凑。选择它,就是为您的产品注入一份经典而可靠的存储动力。

  • 型号:M28W640HCB70N6E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:48-TSOP I
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:64Mbit
  • 存储器组织:4M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:70ns
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:48-TSOP I
  • M28W640HCB70N6E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M28W640HCB70N6E 基本参数:

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