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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、又懂得“精打细算”的内存芯片吗？MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR就是您的理想答案。这颗来自美光科技的256Mb并行移动LPDDR SDRAM，专为 demanding 应用而生，它能以高达166MHz的速度流畅处理数据，同时凭借1.7V~1.95V的低电压供电，显著降低系统整体功耗，让您的设备在性能与续航之间找到完美平衡点。

它能让您的设计轻松应对各种挑战。无论是工业控制设备需要的高速实时数据交换，还是车载系统要求的稳定多媒体流处理，其5ns的快速访问时间和12ns的写周期时间都能确保指令被迅速响应。宽温（-40°C ~ 85°C）特性更赋予了它强大的环境适应性，保障设备在苛刻条件下依然可靠运行。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、稳定且经久耐用的“数据心脏”。

• 型号:MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-VFBGA（8x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:12ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9）
• MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。