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还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储解决方案吗？MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口与高达267MHz的时钟频率，能为您实现数据的闪电般读写，让您的设备在处理海量信息时依然响应迅捷，彻底告别卡顿。

它拥有32G x 8的宽位架构，配合2.7V~3.6V的宽电压支持，让您的系统设计更加灵活高效。无论是用于加速启动、扩展存储还是作为高速缓存，它都能轻松胜任，显著提升整体性能。其工业级的工作温度范围（0°C ~ 70°C）和可靠的表面贴装封装，确保它在各种严苛环境下稳定运行，为您产品的持久耐用性保驾护航。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。