我们为全球各个行业提供Micron（美光） M29W800DB45ZE6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统的代码存储与快速执行寻找可靠伙伴吗？M29W800DB45ZE6E这颗8Mb并行NOR闪存芯片，就是您高效设计的秘密武器。它能让您的系统以45ns的极速访问时间直接执行代码，实现闪电般的启动和响应，大幅提升整体运行效率。

凭借2.7V-3.6V的宽电压供电和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，它让您的产品轻松应对电力波动与严苛环境，从工业自动化到汽车电子，都能稳定可靠地守护关键数据。选择它，就是为您的项目选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:M29W800DB45ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:45ns
• 访问时间:45 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
• M29W800DB45ZE6E，Micron（美光）产品一站式供应商。