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还在为系统缓存的速度而妥协吗？MT44K64M18RB-107E:A TR这颗美光RLDRAM 3芯片，就是为您打破性能壁垒而设计的利器。它拥有1.125Gb的存储容量和高达933MHz的运行频率，能为您的高速网络、通信及计算设备提供极速的数据缓冲，让海量信息处理变得行云流水。

这颗芯片的核心价值在于其超低的8ns访问时间和并联接口架构，能显著减少数据等待时间，极大提升系统吞吐量和响应效率。其1.28V~1.42V的工作电压和宽温范围设计，更让您在追求高性能的同时，也能兼顾系统的能效与可靠性。选择它，就是为您的核心应用装备上一个强大、可靠的高速数据引擎。

• 型号:MT44K64M18RB-107E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K64M18RB-107E:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。