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还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储方案吗？MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的384Gb NAND闪存芯片，拥有高达267MHz的时钟频率与并联接口，能为您提供海量数据的高速吞吐能力，让您的设备在处理密集型应用时依然游刃有余。

它采用先进的132-VBGA表面贴装封装，集成度高，能帮助您优化电路板设计。其宽广的2.7V~3.6V工作电压范围和0°C~70°C的工作温度，确保了在各种环境下的稳定运行。选择它，就是为您的企业级存储、高端嵌入式系统或工业设备，选择了一个高效、可靠且持久的数据核心。

• 制造商产品型号：MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：384Gb（48G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。