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EDB8132B4PM-1D-F-R TR 零件图片(仅供参考)

EDB8132B4PM-1D-F-R TR
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EDB8132B4PM-1D-F-R TR 规格参数

还在为嵌入式设备的内存性能而妥协吗?EDB8132B4PM-1D-F-R TR将彻底释放您系统的潜能。这颗8Gb容量的移动LPDDR2 DRAM,凭借533MHz的高时钟频率和并行接口,能为您的高速应用提供源源不断的数据洪流,让复杂的图形渲染、多任务处理和实时计算变得轻松而高效。

它采用先进的低功耗设计,工作电压范围宽至1.14V~1.95V,让您在追求性能的同时无需过分担忧能耗,完美适配对续航有严苛要求的移动及便携式设备。其坚固的168球FBGA封装和宽广的-30°C至85°C工作温度范围,确保了在各种环境下都能稳定可靠地运行,是您打造耐用、高性能产品的理想存储伙伴。

  • 制造商产品型号:EDB8132B4PM-1D-F-R TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:8Gb(256M x 32)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:168-WFBGA
  • EDB8132B4PM-1D-F-R TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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EDB8132B4PM-1D-F-R TR 基本参数:

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