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还在为嵌入式系统中数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT49H8M36BM-TI:B TR为您开启高效数据存取的新篇章。这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，以其8M x 36的宽位架构，为您构建起一条高速数据通道，能显著提升系统在实时控制、网络缓冲或视频处理等场景下的响应速度与处理能力。

它采用1.7V~1.9V低电压运行与144-TFBGA紧凑封装，在保证强劲性能的同时，兼顾能效与空间利用率，让您的设计更精巧、更省电。宽达0°C至95°C的工作温度范围，更确保了其在各种苛刻环境下的稳定表现，是您打造高可靠性产品的得力助手。

• 型号:MT49H8M36BM-TI:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-TI:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。