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还在寻找一颗能扛得住压力、经得起考验的存储核心吗？让NAND02GW3B2DN6E来担当重任！这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，能以25ns的高速响应您的数据调用与存储指令，显著提升系统整体反应速度。

它为您提供256M x 8的可靠存储空间，宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）设计让它无惧环境挑战，轻松集成于各种工业控制、通信设备及耐用型消费电子产品中。紧凑的48-TFSOP表面贴装封装，更让您的设计布局高效又灵活。

• 型号:NAND02GW3B2DN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND02GW3B2DN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。