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还在为嵌入式系统的数据存储可靠性而担忧吗？让美光MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G TR闪存芯片为您提供坚实保障。这颗2Gb容量、采用SLC NAND技术的非易失性存储器，专为要求苛刻的应用而设计，它能为您的高速系统提供稳定、持久的数据存储服务，确保关键信息在断电后依然完好无损。

它拥有128M x 16位的并行接口，让数据吞吐高效流畅；1.7V至1.95V的宽电压范围，让您轻松适配各种低功耗设计。更令人放心的是，其-40°C至85°C的宽工作温度范围，让您的产品无惧严寒酷暑，在工业、汽车、通信等复杂环境中依然表现卓越。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的可靠性。

• 型号:MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。