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还在寻找一颗能同时满足高性能与长续航需求的存储芯片吗？EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的1Gb移动LPDDR2 DRAM，凭借533MHz的时钟频率和并行接口，能为您的高速应用提供流畅的数据支撑，彻底告别卡顿。

更妙的是，它拥有1.14V~1.95V的宽电压供电范围和低功耗特性，能显著优化设备的能耗表现，让您的产品续航更持久。同时，其坚固的品质足以应对-40°C到125°C的严苛温度考验，无论是户外设备还是工业场景，都能稳定运行。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的基因。

• 型号:EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:32M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
• EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。