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还在为系统数据吞吐速度跟不上而烦恼吗？MT49H64M9SJ-25E:B就是您期待的解决方案。这颗576Mb（64M x 9）的并行DRAM，凭借高达400MHz的时钟频率和仅15ns的快速访问时间，能瞬间响应处理器的数据请求，让您的应用告别卡顿，实现行云流水般的数据处理体验。

它采用1.7V至1.9V的低电压供电，在提供强劲动力的同时有效控制能耗，特别适合需要长时间稳定运行的设备。其宽达0°C至95°C的工作温度范围，更能轻松应对各种严苛环境，确保您的产品在任何条件下都表现如一。选择它，就是为您的核心系统注入一颗高效、可靠的心脏。

• 型号:MT49H64M9SJ-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H64M9SJ-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。