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当您的下一代设备需要一颗强大、可靠且能适应严苛环境的内存心脏时，MT40A1G8WE-083E AUT:B TR正是为您而来。这颗美光8Gb DDR4 SDRAM芯片，以高达1.2GHz的时钟频率和并联接口，为您提供疾速的数据吞吐能力，轻松应对实时数据处理、高速缓存等苛刻任务，让系统运行如虎添翼。

它不仅仅追求速度，更注重稳定。其工作温度横跨-40°C至125°C，并采用低至1.14V~1.26V的供电电压，确保您的产品即使在极端户外环境或高负荷运行下，也能保持高效、低耗的稳定表现。这颗芯片，就是为助力您的工业、汽车及通信设备实现卓越性能与非凡可靠性而精心打造。

• 型号:MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-083E AUT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。