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还在为设备的数据存储能力而烦恼吗？MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR将彻底改变这一局面。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，拥有64G x 8的庞大存储架构，能为您海量的程序代码、用户数据、多媒体内容提供一个宽敞而安全的“家”。

它采用高效的并联接口，配合100MHz的时钟频率，让数据存取如闪电般迅捷，极大提升您设备的响应速度与运行效率。无论是复杂的系统启动，还是实时数据的频繁读写，它都能轻松应对。其2.7V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工作温度范围，更确保了在各种应用环境下稳定可靠的发挥，让您的设计无后顾之忧。

• 型号:MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。