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还在为嵌入式系统寻找一颗“扛得住”的存储芯吗？MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E就是您的答案。这颗美光出品的1Gb并行NAND闪存，能以128M x 8的配置，为您提供稳定可靠的非易失存储空间，确保设备断电后数据依然完好无损。

它专为严苛环境打造，支持-40°C到85°C的宽温工作范围，并采用节省空间的63-VFBGA表面贴装封装。1.7V~1.95V的低电压需求让您轻松实现系统功耗优化。无论是工业控制、汽车电子还是通信设备，它都能让您的产品数据存取高效又安心，是经市场验证的可靠之选。

• 型号:MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E，Micron（美光）产品一站式供应商。