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您是否正在为寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心而烦恼？MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技出品的768Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口与333MHz时钟频率，能轻松驾驭数据中心、企业存储及高端嵌入式系统对海量数据的高速读写需求，让您的设备性能表现始终快人一步。

它不仅仅提供巨大的存储空间，更通过2.5V~3.6V的宽电压供电范围和0°C~70°C的工业级工作温度，确保了在各种应用环境下的出色稳定性和耐用性。其132-VBGA封装形式便于集成，帮助您高效优化产品设计。选择它，就是为您的项目注入一颗强劲、可靠的‘数据心脏’，轻松应对复杂的数据处理挑战，赢得市场竞争的先机。

• 型号:MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:768Gb
• 存储器组织:96G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。