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当您的设计需要一颗能够高速、稳定处理并行数据流的存储核心时，MT46V16M16FG-6:F TR正是为您而来的解决方案。这颗美光DDR SDRAM芯片，拥有256Mb（16M x 16）的存储容量和高达167MHz的时钟频率，能轻松胜任数据缓冲、高速缓存等关键任务，显著提升您系统的整体响应速度与数据处理能力。

它采用标准的并联接口和2.5V左右的核心电压，兼容性广泛，集成简便。其700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，意味着它能以极高的效率执行读写操作，确保数据流的实时性与完整性。无论是用于升级现有系统还是开发对可靠性有严苛要求的应用，这颗芯片都能让您的设计更加高效、稳健。

• 型号:MT46V16M16FG-6:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x14）
• MT46V16M16FG-6:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。