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还在为系统内存带宽不足而烦恼吗？MT40A512M16LY-062E AAT:E TR将彻底改变这一局面。这颗美光8Gb DDR4 SDRAM芯片，凭借1.6GHz的高时钟频率和仅19ns的快速访问时间，能为您的高速计算设备注入澎湃动力，让海量数据吞吐变得轻松而高效。

它采用512M x 16的并行架构和1.2V低电压设计，在提供8Gb大容量存储空间的同时，实现了优异的能效比。无论是工业控制、网络通信还是高性能计算，它都能确保系统响应迅捷，稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一个可靠、强大的性能基石。

• 型号:MT40A512M16LY-062E AAT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:19 ns
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• MT40A512M16LY-062E AAT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。