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您正在设计的产品需要一个值得信赖的“数据仓库”吗？MT29F1G08ABADAH4-ITE:D正是这样一颗能担此任的核心芯片。它拥有1Gb（128M x 8）的存储容量，采用高效的并联接口，能让您的设备实现快速的数据读写与存储，无论是存储系统固件、用户数据还是运行日志，都能轻松应对，为产品性能提供坚实基础。

这颗芯片专为严苛环境而生。其宽电压（2.7V~3.6V）与宽温（-40°C ~ 85°C）特性，让您的产品能够从容应对电源波动与极端温度挑战，保障从消费电子到工业控制等各种应用场景下的稳定运行。表面贴装的63-VFBGA封装，则提供了优异的可靠性与紧凑的占板空间，让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:MT29F1G08ABADAH4-ITE:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABADAH4-ITE:D，Micron（美光）产品一站式供应商。