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还在寻找能让您的嵌入式系统“快人一步”的内存方案吗？MT46V16M16CY-5B:M就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Mb DDR SDRAM芯片，凭借200MHz的高时钟频率与仅700ps的极速访问时间，能大幅提升您的数据吞吐效率，让复杂运算与实时处理变得轻松自如。

它采用高效的16M x 16并行接口和2.5V~2.7V低电压设计，不仅响应迅捷，更能帮助您优化系统功耗。无论是驱动高清显示、缓冲通信数据还是支撑控制逻辑，它都能提供稳定可靠的存储支持，让您的设备在0°C至70°C的工作环境下始终保持高效、流畅的运行表现。

• 型号:MT46V16M16CY-5B:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V16M16CY-5B:M，Micron（美光）产品一站式供应商。