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还在寻找能瞬间提升设备响应速度的内存核心吗？MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的16Gb Mobile LPDDR4 DRAM，能以高达2133MHz的时钟频率疾速运行，为您的高端移动设备、平板和嵌入式系统注入澎湃数据带宽，让多任务处理、高清媒体播放和大型应用加载都变得无比流畅迅捷。

它专为高效而生。1.1V的低电压供电设计，让您在享受极致性能的同时，显著降低系统功耗，轻松延长终端设备的电池续航。其宽泛的工作温度范围（-30°C ~ 85°C）和可靠的200-WFBGA表面贴装封装，确保了在各种严苛环境下的稳定性和耐用性，为您的产品品质保驾护航。

选择它，意味着您选择了一个成熟、高效且经过验证的内存解决方案。它能帮助您轻松突破设计瓶颈，实现产品性能的飞跃，是打造下一代智能终端设备的理想基石。

• 型号:MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。