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您正在寻找一颗能轻松应对中等带宽需求、确保系统流畅运行的可靠内存芯片吗？MT46V128M4FN-5B:F TR正是您的理想之选。这颗512Mb DDR SDRAM芯片，拥有128M x 4的灵活配置和200MHz的时钟频率，能高效处理并行数据流，显著提升系统的响应速度与多任务处理能力。

它采用2.5V~2.7V低电压运行，帮助您设计出更节能的产品。其标准的0°C~70°C工作温度范围和紧凑的60-TFBGA封装，让您可以轻松将其集成到各种工业控制、网络通信或消费电子设备中，为您的产品注入稳定而高效的存储动力。

• 制造商产品型号：MT46V128M4FN-5B:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT46V128M4FN-5B:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。