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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Tb并行NAND闪存芯片，如同一个高速、海量的数字仓库，能轻松容纳128GB的庞大数据，并以高达167MHz的时钟频率进行快速读写，让您的应用告别卡顿，体验行云流水般的数据处理。

它采用稳定的并联接口，在2.7V~3.6V的电压下可靠工作，专为需要持续、高速数据吞吐的场景而生。无论是嵌入式系统、工业控制还是高端存储模块，它都能让您轻松实现大容量数据的即时存储与调用，显著提升整体系统效能。选择它，就是为您的产品注入高效、可靠的数据动力。

• 制造商产品型号：MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：152-LBGA
• MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。