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还在为移动设备的存储性能与功耗平衡而烦恼吗？EDB8164B4PR-1D-F-D正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的8Gb LPDDR2并行DRAM，能以高达533MHz的速度疾速响应，其128M x 64的架构让大数据吞吐变得轻松自如，显著提升您设备的整体运行效率。

更重要的是，它采用了先进的低功耗设计，工作电压最低可达1.14V，能有效延长电池续航，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。其表面贴装的216-WFBGA封装极为紧凑，为您节省宝贵的PCB空间，而宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下的稳定可靠。选择它，就是选择了一个让您产品性能与能效双双跃升的智能存储核心。

• 型号:EDB8164B4PR-1D-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDB8164B4PR-1D-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。