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还在为系统数据处理速度跟不上而烦恼吗？MT44K16M36RB-125E:A就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，能以高达800MHz的速度运行，配合仅10ns的极速访问时间，让您的设备轻松应对海量数据的实时读写需求，瞬间提升系统响应能力。

它采用先进的168-TBGA封装和表面贴装技术，集成度高，节省宝贵的板级空间。其1.28V至1.42V的低电压供电设计，在提供强劲性能的同时，也兼顾了能效。无论是用于网络设备、工业控制还是高性能计算模块，它都能让您的设计运行更高效、更稳定，助您轻松构建更具竞争力的产品。

• 型号:MT44K16M36RB-125E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:10 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K16M36RB-125E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。