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还在为系统数据处理的瓶颈而烦恼吗？让MT49H64M9FM-25:B TR为您带来颠覆性的流畅体验。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能瞬间提升您的系统数据吞吐能力，让海量信息处理变得轻松而高效。

它采用先进的1.8V左右低电压核心供电，在提供强劲性能的同时，有效优化整体能耗。其坚固的144-TFBGA封装和宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保它能在各种严苛的工业与嵌入式环境中稳定运行，是您构建可靠、高性能设备的理想存储伙伴。

• 型号:MT49H64M9FM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H64M9FM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。