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还在寻找一颗能扛得住极端温度、又能高效管理数据的核心存储芯片吗？MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，就像一个全天候待命的智能数据管家。

它能在-40°C到85°C的严苛环境下稳定运行，确保您的工业、车载或物联网设备无论面对冰霜或热浪，数据存取都万无一失。其1.7V~1.95V的低电压设计，让您轻松实现系统节能，延长设备续航。紧凑的63-VFBGA封装更帮您节省宝贵空间，助力产品设计更轻薄、更集成。

选择它，就是为您的产品选择了一份可靠的存储保障，让您能专注于上层应用开发，而无须担忧数据底层的稳定性与性能。

• 型号:MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。