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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F2G16ABDHC:D TR正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，能以128M x 16的架构，为您的高性能嵌入式系统提供稳定、大容量的非易失存储空间。

它采用高效的并联接口和1.7V~1.95V的低电压设计，在保障高速数据吞吐的同时，显著优化系统功耗。其表面贴装的63-VFBGA封装，让您能轻松实现高密度的PCB布局。无论是用于存储程序代码、用户数据还是多媒体内容，它都能让您的设备运行更流畅、数据管理更高效，是您打造可靠产品的坚实存储基石。

• 型号:MT29F2G16ABDHC:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F2G16ABDHC:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。