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MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR 零件图片(仅供参考)

MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR
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MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR 规格参数

还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗?MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR正是您的理想之选!这颗美光出品的128Gb NAND闪存,拥有16G x 8的并行架构,能为您的高速设备提供充沛的数据仓库,让您的系统轻松处理复杂程序和大量文件,运行如飞。

它采用成熟的152-VBGA封装,便于表面贴装,集成度高。2.7V~3.6V的宽电压供电和0°C~70°C的工作温度范围,赋予了它出色的环境适应性和可靠性,确保在各种应用场景下都能稳定工作。选择它,就是为您的产品选择了一份经过验证的高效与安心。

  • 制造商产品型号:MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:128Gb(16G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:83MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:152-VBGA
  • MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR 基本参数:

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