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还在为嵌入式系统或网络设备寻找一颗响应迅捷、运行稳定的内存核心吗？MT47H32M16CC-5E L:B TR正是您期待的解决方案。这颗512Mb容量、采用32M x 16位组织的DDR2 SDRAM，能以高达200MHz的时钟频率高效工作，其并联接口和仅600ps的访问时间，让您轻松应对大数据流的实时读写需求，彻底告别数据延迟的困扰。

它采用先进的1.8V左右低电压供电和84-TFBGA小型化封装，不仅显著降低系统功耗，更能让您的PCB设计更加紧凑灵活。无论是工业控制、通信基础设施还是需要持续稳定运行的其他应用，这颗芯片都能提供可靠的数据缓存支持，确保您系统的整体性能高效、流畅地释放。

• 型号:MT47H32M16CC-5E L:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（12x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（12x12.5）
• MT47H32M16CC-5E L:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。