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您正在寻找一颗能大幅提升系统响应速度与能效比的内存芯片吗？MT48H8M32LFB5-75:G TR正是为您而来。这颗美光256Mb移动低功耗SDRAM，拥有133MHz的时钟频率和仅5.4ns的访问时间，能让您的设备数据处理快人一步，轻松应对实时性要求高的复杂任务。

其1.7V~1.95V的低工作电压范围，显著降低了系统整体功耗，特别适合对续航有要求的嵌入式应用。同时，90-VFBGA的小型化封装帮助您节省宝贵的电路板空间，让产品设计更紧凑、更高效。选择它，就是为您的项目选择了一个性能稳定、久经考验的可靠核心。

• 型号:MT48H8M32LFB5-75:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:8M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5.4 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT48H8M32LFB5-75:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。