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您是否正在寻找一颗能扛住极端环境考验，同时提供流畅数据吞吐能力的内存核心？MT47H32M16NF-25E AAT:H正是为此而生。这颗美光DDR2 SDRAM芯片，凭借512Mb（32M x 16）的架构和400MHz的高时钟频率，能为您的高速处理器提供充沛且即时的数据供给，显著提升系统整体响应速度。

它不仅仅追求速度，更注重持久与稳定。其宽泛的工业级工作温度范围（-40°C ~ 105°C）让它能在各种恶劣条件下稳定运行，极大拓展了您的产品应用边界。1.8V左右的核心电压在保证性能的同时优化了功耗。无论是用于工业控制、汽车电子还是网络设备，它都能让您的设计更稳健，性能释放更高效，助您轻松构建值得信赖的硬件平台。

• 型号:MT47H32M16NF-25E AAT:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16NF-25E AAT:H，Micron（美光）产品一站式供应商。