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还在寻找一颗能扛得住复杂环境挑战的可靠存储芯吗？MT29F1G08ABBDAH4-IT:D正是为您而来。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，能为您需要稳定数据存储的各类设备提供坚实后盾。无论是工业控制器里的关键参数，还是网络设备中的运行日志，它都能确保数据在-40°C到85°C的宽温范围内安全无虞。

它采用高效的并联接口和紧凑的63-VFBGA封装，让您的硬件设计更加灵活高效。1.7V~1.95V的低电压供电，不仅降低了系统功耗，更彰显了其绿色环保的设计理念。选择它，就是为您的产品注入一份历经市场验证的可靠性，让您能更专注于核心功能的创新与优化。

• 型号:MT29F1G08ABBDAH4-IT:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBDAH4-IT:D，Micron（美光）产品一站式供应商。