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还在为系统带宽瓶颈而烦恼吗？让MT49H64M9FM-25:B为您打开高速数据世界的大门！这颗美光出品的576Mb并行DRAM芯片，凭借400MHz的高时钟频率和64M x 9的位宽，能瞬间提升您的系统数据吞吐能力，让海量信息处理变得轻松而高效。

它专为追求性能与可靠性的应用而设计。1.7V~1.9V的低功耗运行，结合宽温工作特性，确保它在各种复杂环境下稳定服役。无论是用作高速缓存还是主内存，它都能让您的设备响应更迅捷，运行更流畅，助您打造出更具竞争力的终端产品。

• 型号:MT49H64M9FM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H64M9FM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。