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这颗芯片专为需要持续、可靠数据存储的应用而生。无论是工业控制设备记录关键运行参数，还是通信设备存储复杂配置与日志，它宽电压（2.7V-3.6V）和宽温（0°C-70°C）的特性都能确保稳定工作，让您的设备在各种环境下都保持高效运转。选择它，就是为您的产品选择了一颗历经考验、性能卓越的“数据心脏”。

• 型号:MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。